2026.04.07

VLSI 符号速查

下标全解

电压 V

符号	下标全称	意思
$V_{GS}$	Gate-to-Source	栅极到源极的电压
$V_{DS}$	Drain-to-Source	漏极到源极的电压
$V_{th}$	threshold	阈值电压（管子刚刚开启的临界电压）
$V_{DD}$	Drain supply voltage	电源电压（历史命名，双 D 表示接到 Drain 的电源）

电流 I

符号	下标全称	意思
$I_D$	Drain current	流过漏极的电流
$I_{on}$	on-state current	管子导通时的电流（开态）
$I_{off}$	off-state current	管子关断时的漏电电流（关态）

其他

符号	下标全称	意思
$R_{eff}$	effective resistance	管子导通时的等效电阻
$t_{pd}$	propagation delay	信号从输入传播到输出的延迟时间
$P_{static}$	static power	静态功耗（电路不翻转时也存在的漏电功耗）
$P_{dynamic}$	dynamic power	动态功耗（电路翻转时充放电产生的功耗）
$C_{ox}$	oxide capacitance	栅氧化层电容（Gate 下面那层 $\mathrm{SiO_2}$ 的电容）
$C_{load}$	load capacitance	负载电容（输出节点上的总电容）
$\mu_n$	n-type mobility	电子迁移率（ $n$ 代表 NMOS，空穴用 $\mu_p$ ）
$W/L$	Width / Length	管子的宽长比（决定驱动能力）

记忆口诀：G = Gate，D = Drain，S = Source，这三个是 MOSFET 的三个极。所有下标都是从这三个字母出发组合的。

变量别名

字母	英文全称	中文意思	类比
V	Voltage	电压（单位：伏特，V	水管里的水压，越高推力越大
I	Current	电流（单位：安培，A）	每秒流过的电荷量，像水流量
R	Resistance	电阻（单位：欧姆，Ω）	水管的”摩擦力”，阻碍电流，电能→热
C	Capacitance	电容值（单位：法拉，F）	一个”小水桶”的容量大小
E	Energy	能量（单位：焦耳，J）	做了多少总功
P	Power	功率（单位：瓦特，W）	每秒消耗多少能量，P = E ÷ 时间
V_DD	Supply Voltage	芯片供电电压，通常约1V	整个电路的”总水压”
C_L	Load Capacitance	负载电容，门输出节点的等效电容	门输出端那个”小水桶”
f	Frequency	时钟频率（单位：赫兹，Hz）	每秒触发多少次
α	Activity Factor	活动因子，0到1之间	平均每个周期有多少比例的节点在翻转
t	Time	时间	—
T	Period	周期，T = 1/f	一个时钟周期的时长

符号	全称	含义	逻辑电平	Virtuoso 中的对应
VDD	Voltage Drain Drain	电源正极。在数字电路里代表“有电”。	1	VDD (或连接到 vdc 组件) （也叫Vcc）
VSS	Voltage Source Source	电源负极。在 CMOS 电路中通常就是 GND。	0	VSS

物理学：

电荷 (Charge)：是一个物理属性，就像“质量”一样。电荷分正、负两种。
电子 (Electron)：是一种具体的微观粒子，它天生携带负电荷。电流与负电荷流向相反
空穴 (Hole)：是晶格中缺失电子留下的“坑”，它表现为携带正电荷

电子是携带负电荷的“搬运工”，空穴是携带正电荷的“搬运工”

参考

Wikipedia, MOSFET

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